4N60
MOSFET
N-Channel
TO-263 TO-262 TO-251 TO-252 TO-220 TO-220F DFN-8
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
2.2000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
106.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263 TO-262 TO-251 TO-252 TO-220 TO-220F DFN-8 |
| tr - Rise Time | 80 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 80 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 106 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 4N60:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 4N60?
Los reemplazos compatibles para el 4N60 incluyen: 1N60Z, 2N60L, 2N60K, 10N50, 11N50, 12N50, 13N50, 2N60, 2SK711, 2SK704, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 4N60?
El 4N60 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263 TO-262 TO-251 TO-252 TO-220 TO-220F DFN-8.
¿Cual es el voltaje maximo del 4N60?
El 4N60 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.