4N60H
MOSFET
N-Channel
TO262
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
2.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
70.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO262 |
| tr - Rise Time | 45 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 70 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 70 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 4N60H:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 4N60H?
Los reemplazos compatibles para el 4N60H incluyen: 13N50MF, 150N06Y, 16N65MF, 18N50MF, 20N65NF, 25N06G, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 3401, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 4N60H?
El 4N60H es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO262.
¿Cual es el voltaje maximo del 4N60H?
El 4N60H tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.