4N60L-TMS-T
MOSFET
N-Channel
TO251S
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
2.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251S |
| tr - Rise Time | 80 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 80 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 4N60L-TMS-T:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 4N60L-TMS-T?
Los reemplazos compatibles para el 4N60L-TMS-T incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 4N60G-T2Q-T, 4N60G-TF3-T, 4N60G-TF3T-T, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 4N60L-TMS-T?
El 4N60L-TMS-T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251S.
¿Cual es el voltaje maximo del 4N60L-TMS-T?
El 4N60L-TMS-T tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.