4N70
MOSFET
N-Channel
TO-251 TO-252 TO-220F TO-220F1
Parametros Principales
Vds Max.
700.000 V
Id Max.
4.400 A
RDSon
2.6000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
49.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251 TO-252 TO-220F TO-220F1 |
| tr - Rise Time | 45 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 70 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 49 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 700 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 4N70:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 4N70?
Los reemplazos compatibles para el 4N70 incluyen: 1N70Z, 2N70Z, 2N70ZL, 2N70K, 10N70, 12N70, 2N70, 2SK711, 2SK704, 2SK709, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 4N70?
El 4N70 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251 TO-252 TO-220F TO-220F1.
¿Cual es el voltaje maximo del 4N70?
El 4N70 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 700.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.400 A.