4N90
MOSFET
N-Channel
TO-220F TO-220F1 TO-220 TO-252 TO-262
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
3.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
140.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220F TO-220F1 TO-220 TO-252 TO-262 |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 65 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 3.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 4N90:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 4N90?
Los reemplazos compatibles para el 4N90 incluyen: 10N90, 11N90, 12N90, 1N90, 1N80, 2N80, 2N90, 2SK711, 2SK704, 2SK709, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 4N90?
El 4N90 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220F TO-220F1 TO-220 TO-252 TO-262.
¿Cual es el voltaje maximo del 4N90?
El 4N90 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.