4SCG5714
BJT
PNP
DIP14A
Parametros Principales
Vce Max.
20.000 V
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
0.200 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DIP14A |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 100 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 4SCG5714:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 4SCG5714?
Los reemplazos compatibles para el 4SCG5714 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 30C02CH-TL-E, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 4SCG5714?
El 4SCG5714 es un transistor BJT PNP en encapsulado DIP14A.
¿Cual es el voltaje maximo del 4SCG5714?
El 4SCG5714 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 20.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.200 A.