4SDG110
BJT
NPN
DIP14A
Parametros Principales
Vce Max.
20.000 V
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
0.050 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DIP14A |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 200 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.05 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 4SDG110:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 4SDG110?
Los reemplazos compatibles para el 4SDG110 incluyen: 2N3906, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 4SDG110?
El 4SDG110 es un transistor BJT NPN en encapsulado DIP14A.
¿Cual es el voltaje maximo del 4SDG110?
El 4SDG110 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 20.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.050 A.