50N06B
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
50.000 A
RDSon
0.0175 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 380 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 445 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 50 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0175 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 50N06B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 50N06B?
Los reemplazos compatibles para el 50N06B incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AOD4184A, 4N60B, 4N60H, 4N65F, 4N65B, 4N65H, 4N65G, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 50N06B?
El 50N06B es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 50N06B?
El 50N06B tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 50.000 A.