5552-4
BJT
NPN
TO-5
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
5.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-5 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 150 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 5552-4:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 5552-4?
Los reemplazos compatibles para el 5552-4 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SA1837, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 5552-4?
El 5552-4 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-5.
¿Cual es el voltaje maximo del 5552-4?
El 5552-4 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.