55GN01MA-TL-E

BJT NPN SOT-323

Parametros Principales

Vce Max. 10.000 V
Vcb Max. 20.000 V
Ic Max. 0.070 A
hFE Min 100.000
Potencia Max. 0.400 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT-323
Polarity NPN
SMD Transistor Code ZD
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 3000 MHz
Collector Capacitance (Cc) 1 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.07 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 3 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 20 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 10 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.4 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 100

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 55GN01MA-TL-E:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 55GN01MA-TL-E?

Los reemplazos compatibles para el 55GN01MA-TL-E incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 5487-2, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 55GN01MA-TL-E?

El 55GN01MA-TL-E es un transistor BJT NPN en encapsulado SOT-323.

¿Cual es el voltaje maximo del 55GN01MA-TL-E?

El 55GN01MA-TL-E tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 10.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.070 A.

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