563BSY

BJT PNP SOT23

Parametros Principales

Vce Max. 100.000 V
Vcb Max. 110.000 V
Ic Max. 0.200 A
hFE Min 30.000
Potencia Max. 0.200 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT23
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 50 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 0.2 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 110 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 100 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.2 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 30

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 563BSY:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 563BSY?

Los reemplazos compatibles para el 563BSY incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 50DB045D, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 563BSY?

El 563BSY es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT23.

¿Cual es el voltaje maximo del 563BSY?

El 563BSY tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.200 A.

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