5LN01M
MOSFET
N-Channel
MCP
Parametros Principales
Vds Max.
50.000 V
Id Max.
0.100 A
RDSon
7.8000 Ω
Vgs Max.
10.000 V
Potencia Max.
0.150 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MCP |
| tr - Rise Time | 42 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 4.7 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.15 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 50 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 7.8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 5LN01M:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 5LN01M?
Los reemplazos compatibles para el 5LN01M incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AON6414A, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK705, 2SK932, 3LN01C, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 5LN01M?
El 5LN01M es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MCP.
¿Cual es el voltaje maximo del 5LN01M?
El 5LN01M tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 50.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.100 A.