60N10
MOSFET
N-Channel
TO-3PN
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
60.000 A
RDSon
0.0300 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3PN |
| tr - Rise Time | 280 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 60 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.03 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 60N10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 60N10?
Los reemplazos compatibles para el 60N10 incluyen: 13N50, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK2020-01MR, 2SK2645, 2SK2850, 40N10, 50N15, 60N05, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 60N10?
El 60N10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3PN.
¿Cual es el voltaje maximo del 60N10?
El 60N10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 60.000 A.