60N10E
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
59.000 A
RDSon
0.0170 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
230.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 120 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 59 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.017 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 60N10E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 60N10E?
Los reemplazos compatibles para el 60N10E incluyen: 20N65D, 23N50D, 2SK711, AO3407, 2SK704, 2SK709, 5N65C, 60N10B, 60N10D, 60N10F, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 60N10E?
El 60N10E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 60N10E?
El 60N10E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 59.000 A.