60NM60G-T3P
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
60.000 A
RDSon
0.0650 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
357.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 500 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2730 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 60 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 357 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.065 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 60NM60G-T3P:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 60NM60G-T3P?
Los reemplazos compatibles para el 60NM60G-T3P incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK736, 2SK810, 2SK811, 2SK895, 2SK896, 60NM60L-T3P, 60NM60L-T47, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el 60NM60G-T3P?
El 60NM60G-T3P es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 60NM60G-T3P?
El 60NM60G-T3P tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 60.000 A.