630
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
0.2800 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 3.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 94 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.28 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 630:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 630?
Los reemplazos compatibles para el 630 incluyen: 110N04, 13N90, 14N65, 18N50D, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK701, 2SK702, 2SK703, y 1 mas.
¿Que tipo de transistor es el 630?
El 630 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del 630?
El 630 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.