636BCC
BJT
PNP
SOT89
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
1.500 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT89 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 25 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 636BCC:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 636BCC?
Los reemplazos compatibles para el 636BCC incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 5NU72, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 636BCC?
El 636BCC es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT89.
¿Cual es el voltaje maximo del 636BCC?
El 636BCC tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.