640
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
18.000 A
RDSon
0.1800 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
139.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 150 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 190 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 18 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 139 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.18 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 640:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 640?
Los reemplazos compatibles para el 640 incluyen: 18N20, 18N20A, 16N50F, 13N50F, 2N25, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 80N08TR, 8205A, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 640?
El 640 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del 640?
El 640 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 18.000 A.