6616
MOSFET
P-Channel
SOP8
Parametros Principales
Vds Max.
12.000 V
Id Max.
16.000 A
RDSon
0.0210 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
3.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOP8 |
| tr - Rise Time | 580 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 334 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 16 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 12 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.021 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 6616:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 6616?
Los reemplazos compatibles para el 6616 incluyen: 2300, 2301, 2302, 2SK711, 2SK704, 2SK709, AOD4184A, 3035, 3400, 3401, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 6616?
El 6616 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOP8.
¿Cual es el voltaje maximo del 6616?
El 6616 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 12.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 16.000 A.