6888K
MOSFET
N-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
68.000 V
Id Max.
80.000 A
RDSon
0.0095 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
108.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 54 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 339 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 80 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 108 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 68 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0095 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 6888K:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 6888K?
Los reemplazos compatibles para el 6888K incluyen: 2301P, 2302P, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 3050K, 3060K, 3080K, 3090K, 3415E, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el 6888K?
El 6888K es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del 6888K?
El 6888K tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 68.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 80.000 A.