75N10
MOSFET
N-Channel
TO-3
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
75.000 A
RDSon
0.0200 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
300.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3 |
| tr - Rise Time | 110 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 75 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.02 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 75N10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 75N10?
Los reemplazos compatibles para el 75N10 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 40N10, 50N15, 60N05, 60N05-16, 60N06-18, 60N10, 6N70A, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 75N10?
El 75N10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 75N10?
El 75N10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 75.000 A.