7N10
MOSFET
N-Channel
TO-251 TO-252 SOT-223
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
7.000 A
RDSon
0.2800 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251 TO-252 SOT-223 |
| tr - Rise Time | 24 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 60 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.28 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 7N10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 7N10?
Los reemplazos compatibles para el 7N10 incluyen: 25N10, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 30N06, 50N06, 60N06, 60N08, 6N10, 70N06, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 7N10?
El 7N10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251 TO-252 SOT-223.
¿Cual es el voltaje maximo del 7N10?
El 7N10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.000 A.