7N10G-AA3
MOSFET
N-Channel
SOT223
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
0.3500 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT223 |
| tr - Rise Time | 24 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 60 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.35 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 7N10G-AA3:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 7N10G-AA3?
Los reemplazos compatibles para el 7N10G-AA3 incluyen: 2N5670, 2SK711, 2SK704, 2SK709, APTM50AM38SCTG, APTM50DAM38CTG, APTM50HM75SCTG, ATP304, ATP401, 2SK2255-01MR, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 7N10G-AA3?
El 7N10G-AA3 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT223.
¿Cual es el voltaje maximo del 7N10G-AA3?
El 7N10G-AA3 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.