7N60DS
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
7.000 A
RDSon
0.5800 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
63.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 6.2 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 310 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 63 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.58 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 7N60DS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 7N60DS?
Los reemplazos compatibles para el 7N60DS incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 4N65D, 4N65TF, 50N06B, 50N06H, 50N06D, 5N65GS, 5N70GS, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 7N60DS?
El 7N60DS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del 7N60DS?
El 7N60DS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.000 A.