8003BBB

BJT NPN TO39

Parametros Principales

Vce Max. 225.000 V
Vcb Max. 300.000 V
Ic Max. 0.100 A
hFE Min 60.000
Potencia Max. 0.800 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO39
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 80 MHz
Collector Capacitance (Cc) 6 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.1 A
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 300 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 225 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.8 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 60

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 8003BBB:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 8003BBB?

Los reemplazos compatibles para el 8003BBB incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 6NU74, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 8003BBB?

El 8003BBB es un transistor BJT NPN en encapsulado TO39.

¿Cual es el voltaje maximo del 8003BBB?

El 8003BBB tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 225.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.

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