8050

BJT NPN TO92

Parametros Principales

Vce Max. 25.000 V
Vcb Max. 40.000 V
Ic Max. 1.500 A
hFE Min 85.000
Potencia Max. 1.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO92
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 100 MHz
Collector Capacitance (Cc) 9 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 1.5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 40 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 25 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 1 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 85

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 8050:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 8050?

Los reemplazos compatibles para el 8050 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 71T2, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 8050?

El 8050 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO92.

¿Cual es el voltaje maximo del 8050?

El 8050 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.

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