8070
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
80.000 V
Id Max.
70.000 A
RDSon
0.0110 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 14 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 350 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 70 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.011 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 8070:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 8070?
Los reemplazos compatibles para el 8070 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 3035, 3400, 3401, 3415, 6616, 6703, 6760, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 8070?
El 8070 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del 8070?
El 8070 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 70.000 A.