80N04
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
80.000 A
RDSon
0.0070 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 750 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 80 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.007 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 80N04:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 80N04?
Los reemplazos compatibles para el 80N04 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 3401, 40P04, 45P40, 50N03, 5P40, 60N04, 6706A, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 80N04?
El 80N04 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 80N04?
El 80N04 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 80.000 A.