80N06-251
MOSFET
N-Channel
TO-251
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
80.000 A
RDSon
0.0130 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
71.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251 |
| tr - Rise Time | 5.2 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 185 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 80 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 71 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.013 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 80N06-251:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 80N06-251?
Los reemplazos compatibles para el 80N06-251 incluyen: 20N50, 2312, 06N06L, 18N10W, 2300F, 2SK711, 2SK704, 2SK709, BRFL8N60, 3400H, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 80N06-251?
El 80N06-251 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251.
¿Cual es el voltaje maximo del 80N06-251?
El 80N06-251 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 80.000 A.