80N10
MOSFET
N-Channel
TO220AB
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
100.000 A
RDSon
0.0085 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
250.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220AB |
| tr - Rise Time | 90 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 665 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 100 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0085 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 80N10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 80N10?
Los reemplazos compatibles para el 80N10 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK1623, 2SK2158-T1B, 30N06L, 30N06-TO220, 30N06-TO252, 30N20, 30P06, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 80N10?
El 80N10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 80N10?
El 80N10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 100.000 A.