8N06G
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
7.500 A
RDSon
0.0820 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
13.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 4.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 30 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 13.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.082 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 8N06G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 8N06G?
Los reemplazos compatibles para el 8N06G incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 50N06B, 50N06H, 50N06D, 5N65GS, 5N70GS, 7N60GS, 7N60DS, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 8N06G?
El 8N06G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 8N06G?
El 8N06G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.500 A.