8N50D
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
0.9000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 1.2 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 88 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.9 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 8N50D:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 8N50D?
Los reemplazos compatibles para el 8N50D incluyen: 20N50MF, 20N60MF, 20N65Y, 25N06D, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 8N50G, 2SK701, 2SK702, y 2 mas.
¿Que tipo de transistor es el 8N50D?
El 8N50D es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del 8N50D?
El 8N50D tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.