9012G

BJT PNP TO92

Parametros Principales

Vce Max. 25.000 V
Vcb Max. 25.000 V
Ic Max. 0.400 A
hFE Min 118.000
Potencia Max. 0.400 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO92
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 50 MHz
Collector Capacitance (Cc) 3.5 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.4 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 3 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 25 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.4 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 118

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 9012G:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 9012G?

Los reemplazos compatibles para el 9012G incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 9011F, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el 9012G?

El 9012G es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92.

¿Cual es el voltaje maximo del 9012G?

El 9012G tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.400 A.

Scroll al inicio