9N100
MOSFET
N-Channel
TO-247
Parametros Principales
Vds Max.
1000.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
1.2000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
160.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-247 |
| tr - Rise Time | 95 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 160 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1000 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 9N100:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 9N100?
Los reemplazos compatibles para el 9N100 incluyen: 10N90, 11N90, 12N90, 1N90, 1N80, 2N90, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 8N90, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 9N100?
El 9N100 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-247.
¿Cual es el voltaje maximo del 9N100?
El 9N100 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1000.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.