9N80A
MOSFET
N-Channel
TO-3P
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
1.3000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
240.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3P |
| tr - Rise Time | 37 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 195 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 240 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 9N80A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 9N80A?
Los reemplazos compatibles para el 9N80A incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 3401, 4N60AS, 50N06FI, 5NA80, 60N06-14, 75N05E, 8N90A, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el 9N80A?
El 9N80A es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 9N80A?
El 9N80A tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.