A1013A-R
BJT
PNP
TO92L
Parametros Principales
Vce Max.
160.000 V
Vcb Max.
160.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
0.900 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92L |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 15 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 160 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 160 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.9 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del A1013A-R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el A1013A-R?
Los reemplazos compatibles para el A1013A-R incluyen: 2SC1815, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5401B, 2N5401B-Y1, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el A1013A-R?
El A1013A-R es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92L.
¿Cual es el voltaje maximo del A1013A-R?
El A1013A-R tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 160.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.
