A1013C

BJT PNP TO92L

Parametros Principales

Vce Max. 165.000 V
Vcb Max. 190.000 V
Ic Max. 0.600 A
hFE Min 100.000
Potencia Max. 0.625 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO92L
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 50 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 0.6 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 190 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 165 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.625 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 100

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del A1013C:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el A1013C?

Los reemplazos compatibles para el A1013C incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5401B-Y2, 2N5551A, 2N5551A-Y1, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el A1013C?

El A1013C es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92L.

¿Cual es el voltaje maximo del A1013C?

El A1013C tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 165.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.

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