A1013C-R

BJT PNP TO92L

Parametros Principales

Vce Max. 165.000 V
Vcb Max. 190.000 V
Ic Max. 0.600 A
hFE Min 60.000
Potencia Max. 0.625 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO92L
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 50 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 0.6 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 190 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 165 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.625 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 60

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del A1013C-R:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el A1013C-R?

Los reemplazos compatibles para el A1013C-R incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5551A, 2N5551A-Y1, 2N5551A-Y2, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el A1013C-R?

El A1013C-R es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92L.

¿Cual es el voltaje maximo del A1013C-R?

El A1013C-R tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 165.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.

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