A1015S
BJT
PNP
TO92S
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Vcb Max.
50.000 V
Ic Max.
0.150 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92S |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 150 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 13 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 50 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del A1015S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el A1015S?
Los reemplazos compatibles para el A1015S incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 13003, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el A1015S?
El A1015S es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92S.
¿Cual es el voltaje maximo del A1015S?
El A1015S tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.150 A.