A1150
BJT
PNP
TO92
Parametros Principales
Vce Max.
20.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
0.500 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del A1150:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el A1150?
Los reemplazos compatibles para el A1150 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 9014, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el A1150?
El A1150 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del A1150?
El A1150 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 20.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.500 A.