A1160
BJT
PNP
TO92L
Parametros Principales
Vce Max.
10.000 V
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
140.000
Potencia Max.
0.900 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92L |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 140 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 50 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 10 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.9 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 140 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del A1160:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el A1160?
Los reemplazos compatibles para el A1160 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, A564, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el A1160?
El A1160 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92L.
¿Cual es el voltaje maximo del A1160?
El A1160 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 10.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.