A1162
BJT
PNP
SOT23
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Vcb Max.
55.000 V
Ic Max.
0.150 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
0.150 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| Polarity | PNP |
| SMD Transistor Code | S2O_S2Y_S2G |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 80 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 4 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 55 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del A1162:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el A1162?
Los reemplazos compatibles para el A1162 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 8550, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el A1162?
El A1162 es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del A1162?
El A1162 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.150 A.