A1175
BJT
PNP
TO92S
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
110.000
Potencia Max.
0.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92S |
| Polarity | PNP |
| SMD Transistor Code | FR |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 180 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 5 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 110 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del A1175:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el A1175?
Los reemplazos compatibles para el A1175 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD669A, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el A1175?
El A1175 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92S.
¿Cual es el voltaje maximo del A1175?
El A1175 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.