A1309

BJT PNP TO92

Parametros Principales

Vce Max. 25.000 V
Vcb Max. 30.000 V
Ic Max. 0.100 A
hFE Min 400.000
Potencia Max. 0.300 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO92
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 40 MHz
Collector Capacitance (Cc) 4 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 25 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.3 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 400

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del A1309:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el A1309?

Los reemplazos compatibles para el A1309 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, BC556, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el A1309?

El A1309 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92.

¿Cual es el voltaje maximo del A1309?

El A1309 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.

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