ADQ120N080G2
MOSFET
N-Channel
TO-247-4L
Parametros Principales
Vds Max.
1200.000 V
Id Max.
35.000 A
RDSon
0.1000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
188.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-247-4L |
| tr - Rise Time | 6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 62 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 35 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 188 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ADQ120N080G2:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ADQ120N080G2?
Los reemplazos compatibles para el ADQ120N080G2 incluyen: 2N7002EY, 2N7002KH, 2N7002KM, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el ADQ120N080G2?
El ADQ120N080G2 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-247-4L.
¿Cual es el voltaje maximo del ADQ120N080G2?
El ADQ120N080G2 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 35.000 A.