AF1333P
MOSFET
P-Channel
SOT323
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
0.550 A
RDSon
0.6000 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
0.350 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT323 |
| tr - Rise Time | 8 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 25 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.55 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.35 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AF1333P:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AF1333P?
Los reemplazos compatibles para el AF1333P incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 60N06, 2SK3604-01SJ, 2SK3605-01, 2SK3606-01, 2SK3608-01L, 2SK3608-01S, 2SK3608-01SJ, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AF1333P?
El AF1333P es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT323.
¿Cual es el voltaje maximo del AF1333P?
El AF1333P tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.550 A.