AFN4172WSS8
MOSFET
N-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
0.0080 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 165 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.008 typ Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AFN4172WSS8:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AFN4172WSS8?
Los reemplazos compatibles para el AFN4172WSS8 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 30N06-TO252, 30N20, 30P06, 70N06L-TQ2, 80N10, AF2301PWL, AF4502CSLA, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AFN4172WSS8?
El AFN4172WSS8 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AFN4172WSS8?
El AFN4172WSS8 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.