AFP2307AS23
MOSFET
P-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
4.500 A
RDSon
0.0350 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
1.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 180 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.035 typ Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AFP2307AS23:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AFP2307AS23?
Los reemplazos compatibles para el AFP2307AS23 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 5N60, 30N20, 30P06, 70N06L-TQ2, 80N10, AF2301PWL, AF4502CSLA, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AFP2307AS23?
El AFP2307AS23 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del AFP2307AS23?
El AFP2307AS23 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.500 A.