AG12N65S
MOSFET
N-Channel
TO-263AB
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.8500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
225.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263AB |
| tr - Rise Time | 115 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 225 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.85 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AG12N65S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AG12N65S?
Los reemplazos compatibles para el AG12N65S incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AG10N60S, AT10N65S, AF10N65S, AK10N65S, AG10N65S, AT12N65S, AF12N65S, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AG12N65S?
El AG12N65S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263AB.
¿Cual es el voltaje maximo del AG12N65S?
El AG12N65S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.