AG4N65S
MOSFET
N-Channel
TO-263AB
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
2.6000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
106.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263AB |
| tr - Rise Time | 100 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 70 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 106 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AG4N65S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AG4N65S?
Los reemplazos compatibles para el AG4N65S incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AF4N60S, AK4N60S, AG4N60S, AU4N65S, AD4N65S, AT4N65S, AF4N65S, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AG4N65S?
El AG4N65S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263AB.
¿Cual es el voltaje maximo del AG4N65S?
El AG4N65S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.